Siirry sisältöönSiirry alatunnisteeseen

Vastaa kysymykseen

Kingston ValueRam 4 GB 1333 MHz DDR3 SO-DIMM CL9 -muistikampa

Ei arvosanaa

Kingstonin muistimodulit ovat huippulaadukkaita, huippunopeita sekä erittäin hyvin yhteensopivia. Valmistajalta elinikäinen takuu, meiltä yksi vuosi

    Hinta 37,90 €.37,90

    Lähetä vastaus kysymykseen

    Onko tämä muistikampa yhteensopiva Asus X53U kannettavan kanssa?

    Asus X53U kannettavassa koneessa on jo yksi 4GB muistikampa ja toinen paikka muistikammalle on vapaana. Onko tämä Kingstonin muistikampa yhteensopiva Asus X53U koneessa olevan muistikamman kanssa jos laittaa vapaaseen muistikampapaikkaan Samsungin muistikamman kanssa? Tässä tietoja muistikammasta, joka on jo valmiiksi koneessa:

    Ram Type DDR3 Not Populated

    Maximum Clock Speed (MHz) 667 (JEDEC)

    Maximum Transfer Speed (MHz) DDR3-1333

    Maximum Bandwidth (MB/s) PC3-10600

    Memory Capacity (MB) 4096

    Jedec Manufacture Name Samsung

    Search Amazon.com Search!

    SPD Revision 1.1

    Registered No

    ECC No

    DIMM Slot # 1

    Manufactured Week 27 of Year 2011

    Module Part # M471B5273DH0-CH9

    Module Revision 0x0

    Module Serial # 0x61D9A420

    Module Manufacturing Location 2

    of Row Addressing Bits 15

    of Column Addressing Bits 10

    of Banks 8

    of Ranks 2

    Device Width in Bits 8

    Bus Width in Bits 64

    Module Voltage 1.5V

    CAS Latencies Supported 5 6 7 8 9

    Timings @ Max Frequency (JEDEC) 9-9-9-24

    Maximum frequency (MHz) 667

    Maximum Transfer Speed (MHz) DDR3-1333

    Maximum Bandwidth (MB/s) PC3-10600

    Minimum Clock Cycle Time, tCK (ns) 1.500

    Minimum CAS Latency Time, tAA (ns) 13.125

    Minimum RAS to CAS Delay, tRCD (ns) 13.125

    Minimum Row Precharge Time, tRP (ns) 13.125

    Minimum Active to Precharge Time, tRAS (ns) 36.000

    Minimum Row Active to Row Active Delay, tRRD (ns) 6.000

    Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Time, tRC (ns) 49.125

    Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Command Period, tRFC (ns) 160.000

    DDR3 Specific SPD Attributes

    Write Recovery Time, tWR (ns) 15.000

    Internal Write to Read Command Delay, tWTR (ns) 7.500

    Internal Read to Precharge Command Delay, tRTP (ns) 7.500

    Minimum Four Activate Window Delay, tFAW (ns) 30.000

    RZQ / 6 Supported Yes

    RZQ / 7 Supported Yes

    DLL-Off Mode Supported Yes

    Maximum Operating Temperature Range (C) 0-95

    Refresh Rate at Extended Operating Temperature Range 2X

    Auto-self Refresh Supported No

    On-die Thermal Sensor Readout Supported No

    Partial Array Self Refresh Supported No

    Thermal Sensor Present No

    Non-standard SDRAM Type Standard Monolithic

    Module Type SO-DIMM

    Module Height (mm) 30

    Module Thickness (front), (mm) 2

    Module Thickness (back), (mm) 2

    Module Width (mm) 67.6

    Reference Raw Card Used Raw Card F Rev. 3

    DRAM Manufacture Samsung

    kkangas
    Tähdellä () merkitty on pakollinen tieto.
    Muotoiluohje (Ulkoinen palvelu) (Avautuu uuteen välilehteen)

    Lisää kuva painamalla tästä tai pudottamalla tähän

    Kuvan tulee liittyä arvosteluun. Minimileveys ja -korkeus on 540 pikseliä ja koko korkeintaan 5 Mt.

    Vastauksen esikatselu

    Anonyymi

    Alatunniste

    © 1992–2026 Verkkokauppa.com Oyj